半自动键合机:2~8寸
应用领域：
第二代半导体相关: 光通讯, 砷化镓射频器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)
第三代半导体相关: 氮化镓射频, 氮化镓功率, 碳化硅功率器件芯片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)
产品用途：
超薄片支撑工艺, 研磨后晶背支撑工艺.
(Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)
产品特色：
1. 适用于2"-8", 磷化铟, 砷化镓, 氮化镓, 碳化硅等, 不限尺寸, 衬底材质.
(2"-8"inch wafer, InP, GaAs, GaN, SiC…multi wafer size and material.)
2. 高温键合设计适用于多种键合材料, 包含各种天然树脂与人造树脂. 液态蜡与胶水等等
（High temperature bonding unit for different bonding material, including liquid wax, epoxy and glue.)
3.良好的键合TTV, <2mm
