半自动解键合机: 2~8寸

应用领域：

第二代半导体相关: 光通讯, 砷化镓射频器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)

第三代半导体相关: 氮化镓射频, 氮化镓功率, 碳化硅功率器件芯片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)

产品用途：

超薄片支撑工艺, 研磨后晶背支撑后的热解键合

(Debonding after Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)

产品特色：

1. 适用于2"-8", 磷化铟, 砷化镓, 氮化镓, 碳化硅等, 不限尺寸, 衬底材质

(2"-8" inch wafer, InP, GaAs, GaN, SiC…multi wafer size and material.)

2. 设计适用于多种键合材料热滑移, 包含各种天然树脂与人造树脂. 液态蜡与胶水等等

（High temperature debonding unit for different bonding material, including liquid wax, epoxy and glue.)

3.破片率< 1/3000pcs