半自动解键合机: 2~8寸
应用领域:
第二代半导体相关: 光通讯, 砷化镓射频器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)
第三代半导体相关: 氮化镓射频, 氮化镓功率, 碳化硅功率器件芯片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)
产品用途:
超薄片支撑工艺, 研磨后晶背支撑后的热解键合
(Debonding after Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)
产品特色:
1. 适用于2"-8", 磷化铟, 砷化镓, 氮化镓, 碳化硅等, 不限尺寸, 衬底材质
(2"-8" inch wafer, InP, GaAs, GaN, SiC…multi wafer size and material.)
2. 设计适用于多种键合材料热滑移, 包含各种天然树脂与人造树脂. 液态蜡与胶水等等
(High temperature debonding unit for different bonding material, including liquid wax, epoxy and glue.)
3.破片率< 1/3000pcs
产品中心
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