全自动永久键合机 APB-08

晶圆尺寸 / Wafer Size : ≤ 200mm(8")
键合压力 / Bonding Force：≤ 100kN
键合温度 / Bonding Temperature：≤ 550°C (Option : 650 °C)
腔体真空 / Chamber Vacuum：1×10^-5mbar (Option : 10^-6mbar)
键合工艺 /Bonding Method : 热压键合(Thermo Compression/Metal Diffusion Bonding)，熔融键合(Fusion Bonding)，阳极键合(Anodic Bonding), 共晶键合(Eutectic Bonding)，胶黏键合(Adhesive Bonding)，金属互扩散键合（TLP:Transient Liquid Phase Bonding ）