2-8inch半自动键合设备 SBN-08 series

应用领域：

第二代半导体相关: 光通讯, 砷化镓射频器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)

第三代半导体相关: 氮化镓射频, 氮化镓功率, 碳化硅功率器件芯片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)

产品用途：

超薄片支撑工艺, 研磨后晶背支撑工艺.

(Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)

产品特点：

1. 适用于2"-8"晶圆， 衬底等

2. 高温键合设计适用于多种键合材料, 包含各种天然树脂与人造树脂. 液态蜡与胶水等等

3. 优异的键合TTV<3.0um

4. 临时键合中心精度≤100um

5. 主要应用于功率半导体器件（如GaN，SiC等），MEMS等

6. 量产型全自动整合设备（整合Coater及EFEM）