2-8inch半自动键合设备 SBN-08 series
应用领域:
第二代半导体相关: 光通讯, 砷化镓射频器件工序 (DFB, VCSEL, GaAs RF Device wafer, HBT, P-HEMT…etc.)
第三代半导体相关: 氮化镓射频, 氮化镓功率, 碳化硅功率器件芯片 (GaN RF Device Wafer, GaN Power Device Wafer, SiC Power Device Wafer)
产品用途:
超薄片支撑工艺, 研磨后晶背支撑工艺.
(Thin Wafer handling, Thin Wafer supporting)
产品特点:
1. 适用于2"-8"晶圆, 衬底等
2. 高温键合设计适用于多种键合材料, 包含各种天然树脂与人造树脂. 液态蜡与胶水等等
3. 优异的键合TTV<3.0um
4. 临时键合中心精度≤100um
5. 主要应用于功率半导体器件(如GaN,SiC等),MEMS等
6. 量产型全自动整合设备(整合Coater及EFEM)
产品中心
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