Carriera系列解键合设备ADC-08
主要规格参数:
1.晶圆 尺寸 / Wafer Size:≤(200mm(8")
2.晶圆厚度/ Wafer Thickness: 50um-1000um
3.解键合温度 / De-Bonding Temperature : ≤(350°C
4.产能 / WPH>10
产品中心
一家专注于半导体设备研发/生产及销售的企业
质量第一 / 用户至上 / 以质兴业 / 以优取胜
主要规格参数:
1.晶圆 尺寸 / Wafer Size:≤(200mm(8")
2.晶圆厚度/ Wafer Thickness: 50um-1000um
3.解键合温度 / De-Bonding Temperature : ≤(350°C
4.产能 / WPH>10
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