Divina系列永久键合设备SPB-08
主要规格参数:
1.晶圆尺寸/ Wafer Size:≤200mm(8")
2.键合压力/ Bonding Force: 400N-20kN
3.键合温度/ Bonding Temperature:≤550°((Option: 650°C)
4.腔体真空 / Chamber Vacuum:10-5mbar (Option: 10-6 mbar)
5.键合工艺 /Bonding Method:
6.热压键合(Fusion Bond), 阳极键合 (Anodic Bond), 共晶键合(Eutectic Bond), 胶黏键合 (Adhesive Bond), 金属扩散键合(Metal Diffusion Bond)
产品中心
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